지난 시간의 내용과 이어집니다. SPR에 의한 방법은 SIMS 측정법과는 다르게 전기적인 저항을 측정하여 도펀트의 농도 프로파일을 얻어냅니다. 도핑된 실리콘을 표면과 매우 작은 각도(~1도 수준)로 갈아주게 되면 깊이 방향으로 경사진 면이 나타나게 됩니다. 이 경사진 면을 일정한 거리만큼 이동하면서 2개의 탐침으로 저항을 측정하게 됩니다. 측정된 깊이에 따른 전기 저항은 저항-비저항-도펀트 농도 실험치에 의한 상관관계를 통해 깊이에 따른 도펀트 농도로 환산됩니다. 표면으로부터 작은 각도로 연마하는 이유는 깊이 방향으로 정밀하게 측정을 하기 위함이지만 최근의 나노 수준의 도핑 깊이를 커버하기에는 무리가 있습니다. 하지만 SIMS와는 다르게 전기저항 측정을 통해 결과를 얻어내기 때문에 활성화된 도펀트만 프로..

기판 회로 공정에 대해 알아보겠습니다. 회로 구현 프로세스 종류 회로 구현 프로세스의 종류에는 텐팅 공법과 SAP 공법이 있습니다. 텐팅 공법 : 불필요한 구리를 에칭(식각)하여 필요한 디자인의 구리만 남겨 회로를 형성하는 공법 세부 공정은 다음과 같습니다. 1. Via hole 가공 2. 무전해 + 전해 동도금 3. lamination : 감광성 필름 (DFR : Dry Film Registration) 밀착 4. Photo + Develop : 제품 회로 디자인대로 노광을 하고, 불필요한 DRF을 제거(현상) 5. Etching : DRF이 제거되어 노출된 구리를 약품을 이용하여 제거 6. Stripping : 기능을 다한 DFR을 약품을 이용하여 제거 SAP (Semi Additive Process..