지난 시간까지 금속 배선 공정 중 MOL 공정에 대하여 알아보았습니다. 오늘은 BEOL 공정에 대하여 알아보겠습니다. MOL : 소자에 금속-반도체 접합과 그 위의 컨택트 플러그를 만드는 공정 BEOL (Back End of Line) 공정 반도체 공정의 후반에는 각각의 소자와 연결된 컨택트 플러그를 원하는 기능을 수행하는 칩으로서의 회로 연결 공정을 하게 됩니다. 주로 금속을 이용하여 설계 목적에 맞게 배선을 하는 공정입니다. 여기서 사용하는 금속은 저항이 낮아야 하며, 열적 물질적 안정성을 가지고 있어야 합니다. 이러한 특징을 잘 만족시키는 물질이 알루미늄(Al)입니다. 알루미늄은 비저항이 2.66으로 은(1.59)에 비해 크긴 하지만, 가격적인 측면이나 녹는점이 낮고 산화물을 형성하기 좋은 물질적 ..

오늘은 금속 배선 공정 MOL 공정과 BEOL 공정 중 MOL 공정, 그중에서도 실리사이드(Silicide) 공정에 대하여 자세하게 알아보겠습니다. - 실리콘에 소자(트랜지스터나 다이오드, 캐패시터)를 만드는 FEOL(Front End of Line) 단계 - 소자에 금속-반도체 접합과 그 위의 컨택트 플러그를 만드는 MOL(Middle of Line) 단계 - 각 소자의 단자에 연결된 플러그를 배선하여 설계한 목적대로 연결시키고 기능할 수 있도록 만드는 BEOL(Back End of Line) 이 중 MOL 공정과 BEOL 공정이 금속 배선 공정에 해당합니다. 1. MOL 공정 : 소자에 금속-반도체 접합과 그 위의 컨택트 플러그를 만드는 공정 1) 실리사이드(Silicide) 공정 실리사이드 : 실리..

반도체 8대 공정 (1)에서는 Etch 공정까지 알아보았습니다. 오늘은 박막 공정부터 알아보겠습니다. 박막 공정 정의 박막을 웨이퍼 상에 증착하는 공정 종류 1. 물리적 기상 증착 (PVD, Physical Vapor Deposition) 1) 증발법 (Evaporation) 2) 스퍼터링 (Sputtering) 2. 화학 기상 증착 (CVD, Chemical Vapor Deposition) 1) APCVD(Atmospheric Pressure CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD) 2) ALD (Atomic Layer Deposition) (1) 장점 : 정밀한 두께 제어 가능, 우수한 단차 피복성 (2) 단점 : 증착 속도가 다른 공정에..