반도체 8대 공정 - CMP 공정 (1)

이번 게시물부터는 CMP 공정(Chemical-Mechanical Polishing)에 대하여 알아보겠습니다. CMP 공정 (Chemical Mechanical Polishing) : 웨이퍼 표면에 생성된 산화막, 금속막 등의 박막을 화학적 작용과 물리적 작용을 동시에 활용하여 평탄화하는 공정 1. CMP 설비 구성 1) 연마 패드 : 패드의 경도, 표면 거칠기 등 패드 특성이 CMP 공정 품질에 중요 2) 웨이퍼 캐리어 (연마 헤드) : 웨이퍼를 고정하고 압력을 가해 CMP 패드에 눌러줌과 동시에 웨이퍼를 일정 속도로 회전시킴 3) 슬러리 분사기 : 선택비 향상 등 CMP 특성을 개선할 수 있음 2. CMP 원리 1) 산화막 CMP 2) 금속 CMP 3. CMP 공정의 중요 파라미터 1) Removal..

2023.06.29