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반도체 8대 공정 - Doping 공정 (10)
지난 시간에 이어서 Doping 공정의 마지막 부분까지 소개하겠습니다. 에피 공정에 있어서 중요한 공정 파라미터는 CVD와 유사합니다. 소스 기체가 기판에 도착한 후 막이 형성되는 현상은 동일하지만, 기판의 결정성을 바탕으로 결정으로 성장되는 것이 에피공정이 CVD와 구별되는 점이지만, 성장 측면의 공정 파라미터는 매우 유사합니다. 공정 온도와 압력, 소스 가스의 주입량 등은 CVD의 공정 파라미터와 동일하지만 에피 성장하는 막의 품질은 매우 민감합니다. 또한 에피 공정 중에 도펀트 주입이 가능하지만 도펀트의 농도와 순도에 매우 큰 영향을 받습니다. 보통의 경우는 공정의 원리적인 측면에서 원자들이 기판과 주변의 원자들과 결정성을 가지는 bonding을 하면서 성장하기 때문에 CVD 증착 대비 더 낮은 속..
2023.06.26 -
반도체 8대 공정 - Doping 공정 (8)
이번 시간부터는 에피택시 성장법 (Epitaxial Growth, Epi)에 대하여 알아보겠습니다. 에피택시 성장법 (Epitaxial Growth, Epo) 에피택시 성장법은 최근 20 나노 이하 미세구조의 반도체에서 매우 중요한 공정 중 하나입니다. 과거에는 주로 화합물 반도체를 중심으로 단결정 기반의 고효율 고성능 광학 특성을 이용하기 위해 많이 사용되는 기술이었습니다. Si 기반 반도체에서도 소자가 작아지면서 물질 본질적인 특성의 한계를 극복하기 위해 사용하고 있습니다. 상업적으로 가장 에피택시 공정을 성공적으로 잘 사용하는 분야가 LED 광소자 분야입니다. 사파이어 기판에 질화갈륨을 에피 성장시켜서 발광소자로 사용하고 있습니다. 에피택시의 기본 원리와, 왜 소자가 작아지면서 에피공정을 도입하였는..
2023.06.15