반도체 8대 공정 - Doping 공정 (10)
지난 시간에 이어서 Doping 공정의 마지막 부분까지 소개하겠습니다. 에피 공정에 있어서 중요한 공정 파라미터는 CVD와 유사합니다. 소스 기체가 기판에 도착한 후 막이 형성되는 현상은 동일하지만, 기판의 결정성을 바탕으로 결정으로 성장되는 것이 에피공정이 CVD와 구별되는 점이지만, 성장 측면의 공정 파라미터는 매우 유사합니다. 공정 온도와 압력, 소스 가스의 주입량 등은 CVD의 공정 파라미터와 동일하지만 에피 성장하는 막의 품질은 매우 민감합니다. 또한 에피 공정 중에 도펀트 주입이 가능하지만 도펀트의 농도와 순도에 매우 큰 영향을 받습니다. 보통의 경우는 공정의 원리적인 측면에서 원자들이 기판과 주변의 원자들과 결정성을 가지는 bonding을 하면서 성장하기 때문에 CVD 증착 대비 더 낮은 속..
2023.06.26