오늘은 지난 시간에 알아본 STI 공정의 모식도를 알아보겠습니다. STI 공정 LOCOS 공정과는 다르게 부피 팽창을 유발하지 않고, 소자와 소자 사이에 식각 공정으로 트렌치를 형성하고 그 공간에 부도체를 채워 넣는 방식 패드 산화(Pad Ox.) (10~20nm) 실리콘 질화막 증착 -> 활성층 포토/식각 -> 트렌치 실리콘 식각 -> 배리어(라이너)산화 (Barrier(Liner) Ox.) (10~20nm) -> 고밀도 플라즈마 산화막 증착(HDP Ox dep.) -> 화학적 기계적 연마(CMP) -> 질화막 제거 1. 열산화막에 질화물을 증착시킨다. 2. 포토와 식각 공정으로 트렌치를 형성한다. 3. 10nm 수준의 열산화막을 트렌치 안쪽에 만든다. - 이 열산화막은 트렌치에 생긴 결함이나 전기적인..

오늘은 반도체 8대 공정 중 산화 공정(Oxidation)에 대하여 알아보겠습니다. 산화 공정(Oxidation) : 웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성하는 과정 열산화막 특성과 역할 1. 식각 공정에 의해 쉽게 선택적으로 제거된다. 2. 확산 공정 시 마스크로 사용하여 실리콘이 노출된 부분만 도핑된다. 3. 절연막으로 사용된다. 4. 열산화 시의 Si가 소모되고 부피가 팽창한다. 열산화막 성장 영향 요인 1. 산소 분압 / 온도 : 산화막의 성장은 산소의 분압이 클수록, 온도가 높을수록 증가한다. 2. 산화 방식 : 습식산화법 > 건식산화법 3. 실리콘 결정 방향 : (111) > (100) 열산화막 응용 1. LOCOS : 실리콘이 노출된 부분만 두껍게 열산화막을 형성 -> STI ..