이번 게시물부터는 CMP 공정(Chemical-Mechanical Polishing)에 대하여 알아보겠습니다. CMP 공정 (Chemical Mechanical Polishing) : 웨이퍼 표면에 생성된 산화막, 금속막 등의 박막을 화학적 작용과 물리적 작용을 동시에 활용하여 평탄화하는 공정 1. CMP 설비 구성 1) 연마 패드 : 패드의 경도, 표면 거칠기 등 패드 특성이 CMP 공정 품질에 중요 2) 웨이퍼 캐리어 (연마 헤드) : 웨이퍼를 고정하고 압력을 가해 CMP 패드에 눌러줌과 동시에 웨이퍼를 일정 속도로 회전시킴 3) 슬러리 분사기 : 선택비 향상 등 CMP 특성을 개선할 수 있음 2. CMP 원리 1) 산화막 CMP 2) 금속 CMP 3. CMP 공정의 중요 파라미터 1) Removal..

지난 시간에는 금속 배선 공정의 MOL 공정인 텅스텐 플러그(W plug)에 대하여 대략적으로 알아보았습니다. 이번 시간에 이어서 자세하게 알아보도록 하겠습니다. 적절한 두께의 TiN은 불소의 확산을 방지하여 불소가 컨택트 영역의 바닥면 실리콘과의 반응 또는 측벽의 절연체 산화물과의 반응을 억제할 수 있으나, 두께가 두꺼워지면 TiN 물질 자체의 저항이 금속보다 매우 크기 때문에 최대한 얇게 확산 방지막으로서의 역할을 할 수 있을 정도로만 사용하여야 합니다. 또한 TiN에서의 질소의 농도가 높아짐에 따라 확산 방지의 성능은 좋아지나, 저항이 커지게 됩니다. 따라서 화학량비를 최적화시켜야 하고 결국 TiN의 두께와 Ti와 N의 화학량비를 잘 조절하여야 저항이 낮고 확산 방지막의 역할을 잘할 수 있는 기능성..