밀림 현상 1. DFR 밀착 불량 -> DFR 공정의 재검토 2. 전처리의 오류 -> 전처리 조건 변경 : DFR의 밀착성이 나쁘거나 전처리가 너무 강하면 DFR 상승(들뜸)이 발생해 그 부분의 도금이 분리됩니다. 3. 막의 두께가 두꺼움 -> 전류 설정 변경 : 막의 두께가 두꺼우면 도금이 DFR을 넘어서는 들뜸 현상이 발생합니다. 4. 차폐판의 조정 불량 -> 장치 수리 : 차폐 효과가 약한 부분의 도금 막의 두께가 두꺼워져 들뜸 현상이 발생합니다. 혹 발생 (돌출 부위) 1. 전처리의 오류 -> 전처리 액의 농도 조정 및 재건욕 2. 기판의 더러움 -> 기판 제조 공정의 재검토 : 기판이 더러우면 화학동과 전기 구리 피막의 밀착성이 악화되는 원인이 됩니다. Large arc rate 1. 구리 농도..

지난 시간에 이어 전기동 불량과 원인 분석 Trouble shooting에 대해 알아보겠습니다. dimple 1. 동 농도가 낮음 -> 산화구리 또는 고순도 황산구리를 가하기 2. 황산 농도가 높음 -> 부분 건욕 : 동 농도가 낮거나 황산 농도가 높으면 분극 저항이 높아지는 구멍 형상대로 석출되기 때문입니다. 3. 첨가제 농도가 낮음 -> 첨가제를 가하기 4. 첨가제 농도가 높음 -> 더미 도금 / 활성탄 필터 처리 : 첨가제 농도가 관리 범위에서 벗어나면 첨가제 작용의 균형이 깨지기 때문입니다. 5. 교반이 최적이 아님 -> 분사 펌프 설정의 재검토 / 노즐 청소 / 필터 교환 : 교반이 너무 강하면 구멍 내 확산층이 얇아져 구형상으로 분출되기 때문입니다. 6. 불순물 -> 더미 도금 / 활성탄 필터..

전기동도금의 불량들에 대해 알아보겠습니다. 우선 전기동도금의 mechanism은 다음과 같습니다. 초기에는 확산설로 표면의 석출이 억제되어 TH 중앙이 이어집니다. 그다음은 기억설에 의해 TH 중앙부의 석출이 촉진되어 표면이 평탄하게 됩니다. 확산설 : 교반이 강해 확산층이 얇은 표면에 Leveler(석출을 억제)가 많이 흡착하며 표면의 석출을 강하게 억제합니다. 결과적으로 Hole 하부의 석출이 촉진되고 filling이 행해집니다. 기억설 : Brightener(석출을 촉진)는 확산층과 무관하게 균일하게 흡착하지만 흡착한 장소에 그쳐 도금됩니다. Hole 하부의 Brightener 밀도가 높아지면서 서서히 Hole 하부의 석출 속도가 빨라지고 filling이 행해집니다. TH filling 교반의 영향..

전기동도금의 mechanism, 첨가제에 대해 알아보겠습니다. 전기동도금 mechanism 도금하고자 하는 제품에 음극을 걸어 Cu를 석출 Soluble anode vs Insoluble anode 비교 Soluble anode - reaction : Cu -> Cu2+ + 2e- - by product : need to management with lever less donate system - cost : cheap - current distribution : poor - anode film issue : sensitive Insoluble anode - reaction : 2H2O -> O2 + 4H+ 2e- - by product : less care for active by product cos..

오늘은 기판 도금 공정 중 전기동도금 공정에 대해 알아보겠습니다. 전기동도금은 화학동도금에서 형성된 Thin Cu를 전기도금을 이용하여 성장시켜 reliability를 부여합니다. 전기동도금 공정 모식도 Cu+ 액 중에 피도금체를 넣고 전자를 공급하여 피도금체에 Cu를 석출 시키는 공정입니다. 화학동도금을 통하여 형성된 전도성 피막 위에 전기를 이용하여 필요한 두께의 동 피막을 형성하고, 전도성 회로의 열 및 전기적 특성을 확보하기 위함입니다. 금속 동피막을 형성하여 전도성 회로의 전기적 기능 및 신뢰성을 확보합니다. 화학동도금이 무전해 동도금이었던 것에 반해, 전기동도금은 전해 동도금입니다. Key point : Cu 증착량은 전류 인가량과 도금 처리 시간에 비례합니다. 전기동 인접 공정 과정 (화학동..