지난 시간에 동일한 공간에 실리콘과 동일한 원자 수의 Si-Ge가 이종성장될 경우 부피 팽창으로 인해 주변에서는 압축 응력(compressive stress)을 받게 된다는 내용까지 알아보았습니다. 이어서 알아보도록 하겠습니다. 소스와 드레인 영역의 실리콘을 에치 공정으로 일부분 제거하고 그 공간에 Si-Ge을 에피성장한다면 소스 드레인 영역의 부피 팽창으로 인해 게이트 아래의 채널 영역은 양쪽에서 미는 힘을 받게 됩니다. 먼저, 원하는 영역만 선택적으로 에피성장을 시키는 방법을 SEG(Selective Epitaxial Growth)라고 합니다. 실리콘이 있는 소스와 드레인 영역을 에치로 파내고 에피 공정이 진행되면, 먼저 수소 분위기에서 열공정을 진행하여 Si이 에치된 영역에 자연산화막 및 이물질을 ..

이번 시간부터는 에피택시 성장법 (Epitaxial Growth, Epi)에 대하여 알아보겠습니다. 에피택시 성장법 (Epitaxial Growth, Epo) 에피택시 성장법은 최근 20 나노 이하 미세구조의 반도체에서 매우 중요한 공정 중 하나입니다. 과거에는 주로 화합물 반도체를 중심으로 단결정 기반의 고효율 고성능 광학 특성을 이용하기 위해 많이 사용되는 기술이었습니다. Si 기반 반도체에서도 소자가 작아지면서 물질 본질적인 특성의 한계를 극복하기 위해 사용하고 있습니다. 상업적으로 가장 에피택시 공정을 성공적으로 잘 사용하는 분야가 LED 광소자 분야입니다. 사파이어 기판에 질화갈륨을 에피 성장시켜서 발광소자로 사용하고 있습니다. 에피택시의 기본 원리와, 왜 소자가 작아지면서 에피공정을 도입하였는..