지난 시간에 이어 열 산화막 성장에 실리콘 결정 방향이 영향을 미치는 이유에 대하여 알아보겠습니다. 실리콘의 경우 (100) 면 대비 (111) 면이 산화 속도가 더 빠릅니다. 그 이유는 면밀도의 개념으로 설명할 수 있는데, (100) 면의 밀도 6.8 * 10^11 /cm^2보다 (111) 면의 밀도 11.8 * 10^14 /cm^2가 두 배 가까이 높습니다 따라서 반응이 일어날 확률이 (111) 면에서 더 높게 되어 성장 속도가 더 높습니다. 실리콘 결정 방향에 따른 산화 속도는 평면 형태의 소자 구조에서는 크게 문제가 되지 않지만, 실리콘의 다른 방향의 면이 드러난 상태에서 산화 공정을 진행할 경우 두께의 차이를 초래하게 됩니다. 예를 들어 트렌치 구조로 만든 후 벽면과 바닥면 등 방향이 다른 실리..

오늘은 지난 시간에 알아본 STI 공정의 모식도를 알아보겠습니다. STI 공정 LOCOS 공정과는 다르게 부피 팽창을 유발하지 않고, 소자와 소자 사이에 식각 공정으로 트렌치를 형성하고 그 공간에 부도체를 채워 넣는 방식 패드 산화(Pad Ox.) (10~20nm) 실리콘 질화막 증착 -> 활성층 포토/식각 -> 트렌치 실리콘 식각 -> 배리어(라이너)산화 (Barrier(Liner) Ox.) (10~20nm) -> 고밀도 플라즈마 산화막 증착(HDP Ox dep.) -> 화학적 기계적 연마(CMP) -> 질화막 제거 1. 열산화막에 질화물을 증착시킨다. 2. 포토와 식각 공정으로 트렌치를 형성한다. 3. 10nm 수준의 열산화막을 트렌치 안쪽에 만든다. - 이 열산화막은 트렌치에 생긴 결함이나 전기적인..

오늘은 반도체 8대 공정 중 산화 공정(Oxidation)에 대하여 알아보겠습니다. 산화 공정(Oxidation) : 웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막(SiO2)을 형성하는 과정 열산화막 특성과 역할 1. 식각 공정에 의해 쉽게 선택적으로 제거된다. 2. 확산 공정 시 마스크로 사용하여 실리콘이 노출된 부분만 도핑된다. 3. 절연막으로 사용된다. 4. 열산화 시의 Si가 소모되고 부피가 팽창한다. 열산화막 성장 영향 요인 1. 산소 분압 / 온도 : 산화막의 성장은 산소의 분압이 클수록, 온도가 높을수록 증가한다. 2. 산화 방식 : 습식산화법 > 건식산화법 3. 실리콘 결정 방향 : (111) > (100) 열산화막 응용 1. LOCOS : 실리콘이 노출된 부분만 두껍게 열산화막을 형성 -> STI ..